静电诱导硅可控整流器关断过程的测量与分析

通过实验分析了静电诱导硅可控整流器(S、I、硅可控整流器)的关断过程。发现关断过程可区分为低电流范围的指数过程和大电流范围的线性过程两种情况。指数过程的关断时间,主要决定于载流子复合的快慢,随阳极电流的增大而减短;线性过程的关断时间,主要决定于?极抽取载流子的能力,随阳极电流的增大而增长。     

BSIT组合器件

本文研制了BSIT组合器件,它是由BSIT和BJT组合而成的一种复合器件,具有开关速度高、功率容量大、h_(FE)的温度稳定性好等优点,可用于低压开关电源、优质脉冲功率源和高低温恶劣环境下的仪表等场合。     

超导晶体管

本文阐述了超导晶体管的工作原理,并以平面型超导晶体管为例介绍了几种器件的结构、制作和性能。     

InP－MIS界面特性的研究

通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ＿４所造成陷阶，而是低温淀积ＳｉＯ＿２中的ＳｉＯＨ、ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象，从而可望制作出性能较为稳定的ＩｎＰ－ＭＩＳ器件     

迭栅不挥发性存贮器的电荷保持特性

本文阐明了关于SAMOS电荷保持特性的热电子发射模型的物理意义,并与实验结果作了比较;对模型中的两个主要参量,即热电子发射的有效势垒高度φ_B以及电子与势垒壁碰撞的平均自由时间,作了合理的说明;并简要讨论了有关浮?的设计考虑。     

信息时代的微电子技术

该文围绕信息时代对微电子技术的需求 ,简要介绍了VLSI的现状和发展概况 ,并揭示了超高速VLSI和系统LSI中的若干问题 ,对微电子技术发展的其它方面也作了阐述。     

α-Si∶H/Si异质结双极型晶体管的研制

报导了采用平面工艺制作a-Si∶H/C-Si HBT的基本工艺和测试结果。在Si-HBT的研制中,取得了H_(FE)=60、∫_r=530MHz的良好结果。