LiF和AgCl中四角的V~(2+)中心的缺陷结构研究

基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2 中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2 在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离?Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。     

LaSrAlO_4中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量的理论分析

根据晶体场理论,利用3d~9离子在四角对称(伸长八面体)中自旋哈密顿参量g因子的四阶微扰公式以及超精细结构常数A因子的三阶微扰公式,对掺Cu~(2 )的LaSrAlO_4晶体的自旋哈密顿参量作出了理论分析。其中的四角晶场参量D_s、D_t由重叠模型和杂质中心的局部结构计算,A因子公式中的芯区极化常数κ≈0.286。所得到的计算值与实验符合较好,并从理论上确定了A//为负值。