1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

GaAs HEMT大信号模型的研究

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟.本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究.     

大功率晶体管的保护及应用

本文介绍了大功率晶体管的保护原理,大功率晶体管驱动保护集成电路ＵＡＡ４００２和霍尔传感器ＬＡ５０的功能和用法。     

领导艺术的DNA基因

美国著名电子专家W·肖克利是晶体管的发明人,诺贝尔奖获得者,为电子技术的发展做出了巨大贡献.1956年,雄心勃勃的肖克利在硅谷成立了以他自己的名字命名的公司--肖克利电子公司,并自任总经理.     

晶体管的简易测试

晶体管的测试的方法很多,但是目前教材所介绍的方法不易理解、操作不便,容易出错,笔者就其教学实践给出一种简易的测试方法.     

高速SOI-LIGBT的数值分析

研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V_F折衷关系优于采用非局域寿命控制的器件，在相同关断速度下其正向压降可降低０．６～１．４ Ｖ，避免了阳极短路结构的正向快速返回现象。     

晶体管部分特性分析

本文运用半导体物理学有关知识，结合晶体管结构，对三极管的输入、输出特性曲线在原点附近做详细研究，并给出准确的曲线图．     

微波晶体管噪声参数CAT

介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法，并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下，该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量；并给出了部分测试结果，还与厂家典型值进行了比较。     

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

F-MAT251离子源高压电源电路的维修

介绍了西德MAT公司F—MAT251同位素固体质谱仪离子源加速器高压电源中分压电阻棒的制作工艺和高压逆变器用逆变晶体管的代换的两个维修难题的突破。