反馈型振荡器起振条件的新研究

阐述了目前被广泛应用的对于反馈型振荡器的分析方法在描述起振条件和稳定条件时存在严重的逻辑缺陷。提出了一种普适的起振条件判据,推导出两组具体而又具有实际指导意义的起振条件判据,阐明了不存在“频率稳定条件”的理由。     

SAW振荡器的相位噪声分析

声表面波振荡器是一种典型的反馈振荡器。根据Ｌｅｅｓｏｎ反馈振荡器相位噪声模型，分析了ＳＡＷ振荡器的相位噪声特点，特别是不同的ＳＡＷ反馈元件，分析结果表明不同的ＳＡＷ反馈元件通常有不同的相位噪声特点。还讨论了降低相位噪声电平，提高振荡器的谱密度的方法和途径     

555定时器的应用

555定时器是一个中规模集成电路,有着广泛的应用。本文介绍了其中的几种应用:多 谐振荡器,模拟声响,防盗报警电路,以此来说明555定时器的应用功能。     

"555"初始脉冲的修正

由“555”构成的多谐振荡器作为脉冲信号源时,往往会出现通电后产生的第一个脉冲比后续脉冲宽,就这种现象的原因进行具体分析,并给出其解决方法。     

毫米波第三次谐波振荡器的实现

本文讨论了第三次谐波振荡器的最佳工作状态、器件选择原则以及电路设计,并采用8mm GaAs Gunn二极管实际制作了3mm第三次谐皮振荡器,输出功率达10mW量级。     

TM_(010)模圆柱腔GUNN振荡器

本文论述了 TM_(010)模式圆柱腔 GUNN 振荡器的理论基础、设计原理与使用特点。这种振荡器在微波技术中作为中精度、小功率信号源在测量、雷达、微波通信、卫星通信以及微波报警器等方面有广泛的应用。     

8mm三次谐波复合腔回旋管研究

对８ｍｍ波段三次谐波复合腔回旋管进行了系统研究。对具有模式转换段的复合腔的特性进行了数值优化计算，在三次回旋谐波下，对电子注与复合腔中的场的互作用进行了非线性自洽数值模拟。设计并研制了三次谐波复合腔回旋管，在注电压Ｖｂ＝４３ｋＶ与磁场４．５ｋＧ下，得到脉冲输出动率大于５０ｋｗ，互作用电子效率为１２％的结果。     

浅谈文氏电桥振荡器

本文通过推导文氏电桥振荡器的起振条件,根据振荡电压振幅的变化,导致正温度系数的热敏电阻的阻值变化,产生稳幅．     

CMOS环型压控振荡器的设计

设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。该设计和分析是基于上华0.5μmCMOS工艺,当控制电压从1～3V变化时,相应的振荡频率为100～500MHz;在偏离中心频率1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率处得到的相位噪声分别为?50dBc/Hz、?75dBc/Hz、?98dBc/Hz和?120dBc/Hz。     

振动对微波振荡器电性能的影响初探

着重研究微波振荡器在机械振动干扰下发生结构谐振时,其输出特性呈现明显变化的物理现象.从压控振荡器、场效应振荡器、体效应振荡器、磁控管等的机、电性能联合动态试验分析得出:当振动干扰频率与微波振荡器结构谐振频率一致时,即使干扰能量不大,也会使微波振荡器的输出发生很大变化.在应用振动理论分析微波振荡器的结构谐振频率后,提出了机、电性能之间互相影响的几点初步看法.