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1.
通过常温和高温下对PVDF/SiO_2,(PVDF-聚偏氯乙烯)膜的恒压负电晕充电,系统地研究了充电注入的负表面电荷受激脱阱后在电荷层自身内场作用下的输运规律。确定了TSD(ThermallyStimularedDischarge)的偶极峰和空间电荷峰对电荷稳定性的明显区另。实验结果表明,高温负电晕充电对该材料的驻极性能有明显的改善。
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本文用静电场理论导出
极化电荷、自由电荷、电场和介质分布之间的普遍关系。
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用电磁学方法通俗地证明了电位移矢量D 和磁场强度矢量H 与介质存在无关的充要条件
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