GaAs HEMT大信号模型的研究

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟.本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究.     

刍议化学平衡的等效问题

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟.本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究.     

极谱法测定砷化镓半导体中的铟

提出了用微分脉冲极谱法测定砷化镓半导体中铟含量的方法。讨论了测定方法的准确度、灵敏度及干扰情况。测定结果表明，用微分脉冲极谱法测定砷化镓中的铟可测定至５×１０－５ｍｏｌ／Ｌ，在砷化镓样品量小于０．１ｇ时，其相对标准偏差小于３％。     

磷酸盐玻璃高温导电特性的研究

半导体材料通常是指电阻率介于绝缘体和导体之间,即电阻率的数值在10-3109欧姆·厘米范围内的材料。如果按化学成分来分类,有元素半导体(如锗、硅等)和化合物半导体(如砷化镓、磷化镓等)。如果从原子排列的状态来看,可分为晶态半     

牟虹出席非洲之夜

Mu Hong, Director-General of ACWF＇s International Department, and Lu Yamin, l）eputy Director-General of ACWF＇s International Department, attended the African Night, an activity hosted by the Group of African Ambassadors＇ Spouses （GAAS） at China World Hotel. Beijing, on March 8.     

調制摻杂場效应晶体管的研制与測試

对(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂场效应晶体管MODFET进行了设计、研制与测试。利用国产分子束外延系统(MBE)获得的異质结材料,采用尚未报导的部分工艺,同时研制成功耗尽型、增强型的MODFET、直流跨导典型值在90-135mS/mm。对耗尽型MODFET进行了微波测试。在4GHz下,最小噪声系数为2.49dB,最大功率增益为10.2dB,在国内尚未见到类似报导。     

E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。     

有线电视双向放大器原理及常见故障检修四例

双向放大器主要用于CATV电视图像信号、数字电视信号、数据(或压缩数据)信号的双向干线传输。下行通道前级多采用进口低噪声推挽放大模块,输出级采用进口功率倍增放大模块或砷化镓放大模块,输出电平高,非线性指标好;上行通道采用进口回传专用放大模块,失真小,信噪比高。插件式双工滤波器,插件式固定(或可调)均衡器、固定(或可调)衰减器,插件式输出分支器,调试方便。其原理框图如下:     

GaAs HEMT大信号模型的研究

在微波功率器件中,GaAs HEMT的应用成熟。本文探讨了对GaAs HEMT大信号进行研究。     

调制掺杂场效应晶体管的直流特性

对调制掺杂场效应晶体管的栅控特性进行了研究。考虑费米能级随二维电子气浓度的变化,计算了器件的直流特性。计算结果包括在阈值电压附近以及非饱和区,与实验结果吻合较佳。