锁模半导体激光器产生带宽极限的超短光脉冲

利用主动锁模技术,以光在外腔中的往返频率调制注入电流,在外腔中加入F-P标准具(Fabry-Perot etalon)后,在国內首次获得了带宽极限的可调谐完全锁模半导体激光超短脉冲。该脉冲源可望用于高速光通信、光孤子通信等领域。     

磁各向异性应力检测及其模型研究

简单描述了磁各向异性检测应力原理,指出在复杂平面应力状态下所采用的主应力差法存在的不足,在此基础上给出了新的模型.实验表明新模型是符合实际情况的.     

1000VMOSFET用常规低压工艺的实现

采用常规低压集成电路工艺实现了耐压达１０００Ｖ的高压横向ＭＯＳＦＥＴ，详细介绍了该高压横向ＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、工艺技术及测试结果。文中从实验和分析的角度上首次探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅长度对该高压横向ＭＯＳＦＴ击穿电压的影响。     

喷涂热分解法制备掺锑SnO_2电热膜的工艺及电学性能的研究

本文研究了热喷涂分解法制备Sb:SnO2电热膜的工艺及基体对电热膜电学性能的影响,并讨论了该膜的电阻温度系数的变化.实验表明:喷涂工艺对掺Sb的SnO2电热膜的电学性能有很大影响.     

受控核聚变的一种新途径──低能注入式磁盖势阱约束法受控核聚变

提出了磁盖势阱（ＭＬＰＷ）一种静电装置,该装置是在球形静电势阱的外围加上磁盖而构成的,可用于受控核聚变．通过建立磁盖势阱中带电粒子的运动方程并取单粒子谐振子近似以及运用自洽场的统计方法,球形聚变炉内大量带电粒子的集体行为被计算机所研究和模拟．由于使用了电场与磁场的联合约束,与单独的磁约束或惯性约束受控核聚变相比,所需达到的技术指标将有所改善,工程技术上的难度也会有所降低     

半导体激光器的光学准直

对半导体激光器进行光学准直是空间光通信系统必须进行的重要工作。文中简述了准直通常使用的方法,测试了使用单透镜对一种３５ｍＷ半导体激光器的准直结果,准直效率约为６０％,准直后的发射角为０４～０７５ｍｒａｄ。     

一种新的高维数据降维方法

一、前言现实世界中存在着大量的复杂事物及现象,人们希望揭示隐藏在这些纷繁芜杂的表象下的事物和现象的客观规律。随着信息技术的发展,我们面对的数据越来越复杂,往往具有如下特点:(1)样本点数量巨大;(2)数据收集的频率越来越高;(3)数据内部存在结构化的特征;(4)指标变量众多。例如天气状况,用来描述气象特征的指标非常多,像温度,湿度,气压,风力,降雨量等等,对于每时每刻的天气状况,可以用多变量组成的向量数据细致的表示。大量出现的高维数据不仅提供了极其丰富、详细的信息,而且对数据分析中的变量选择、多元建模带来了挑战:怎     

半导体行业MES软件的信息管理

MES即制造执行系统（Manufacturing Execu-tion System），随着世界经济的不断发展和市场竞争环境的不断激烈化，提高企业的竞争力对企业发展有着重要意义。特别是在半导体行业，由于半导体行业生产成本高，制造技术含量高，生产速度快，制造精细和信息变动快，半导体行业的管理非常困难。因此，MES对半导体行业的管理十分重要。但受半导体行业特殊性的影响，半导体行业在通过MES来提高自身竞争力的过程中出现了很多问题。文章分析了半导体行业及MES的发展及MES技术在半导体行业的应用效果，总结半导体行业利用MES软件信息管理的意义。     

多相感应电机任意非正弦气隙磁密的磁动势分析与应用

多相感应电机转矩密度的提高依赖于非正弦气隙磁密行波的合理构建,由于传统的电流相位、幅值控制策略无 法给出期望的非正弦磁密行波,因此文章研究了控制多相感应电机定子相电流中基波和谐波幅值、相位、频率的大小来 构建期望的气隙磁密波形的方法、首先基于单根载流导体产生的气隙磁动势波形,推导了任意相数、不对称、包含任意 高次谐波电流波形激励的具有典型绕组结构的多相感应电机的磁动势分布表达式。根据以上磁动势分析结论,多相电 机可通过变电流相序变极。针对气隙磁密行波逼近方波波形的案例,根据所提出的磁动势分析方法分析和预测了理想 空载励磁电流的波形。将预测波形和方波供电下的励磁电流波形进行了比较,从FFT分析结果来看,仍需微调各次谐波 电压相位,从而实现各次电流相位完全一致。