晶体二极管伏安特性曲线的计算机拟合

晶体二极管伏安特性的理论表式I=I,(e~(U/U_T)-1)的参数I.和1/U_T,可用直线拟合的方法求出。本文通过证明,并用计算机程序得出两种晶体二极管伏安特性的拟合曲线与实验值符合得比较好。     

Ka波段二倍频器的研究与设计

利用反向并联二极管对的二倍频原理,设计了Ka波段二倍频器。用高级设计系统ADS设计软件包的射频设计软件对二倍频器的电路进行了模型设计和仿真分析,并对设计出的二倍频器进行了整体优化,研制了Ka波段的二倍频器;在整个Ka波段内的变频损耗为11.2±1.8 dB,减少了设计的理想模型与实际参数的偏差。     

LD端面脉冲泵浦激光晶体中瞬时温度分布

激光晶体的热效应在设计和操作端面泵浦激光器时,会影响激光器的稳定运行.本文对激光晶体的热效应问题进行了详尽的研究.提出了二极管端面脉冲泵浦的各向异性立方晶体的热模型.通过数值计算,得到了激光晶体中温度场分布随时间、泵浦脉冲频率和泵浦脉冲峰值功率的关系.     

关于贴片二极管检测技能教学中的几个问题

随着电子信息技术的迅猛发展,电子通信行业已成为主要经济支柱产业,各种电子通信产品日新月异,所用的元器件也不断更新换代,越来越多的使用表面贴装技术（SMT）。而表面贴装元器件SMD是一种无引线或短引线的新型微小型元器件,它适合于在没有通孔的印制板上安装，是表面组装技术（SMT）的专用元器件。     

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

研究了ＡｌＮ基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现，膜电阻率随温度变化呈现出从ＮＴＣ过渡到ＰＴＣ的Ｕ型特性，转折温度ＴＭ的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明：晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值，极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。     

基于超结结构的肖特基势垒二极管（英文）

在功率半导体器件中,高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一,选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管,其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面,选用成熟的单步微电子工艺,通过4次N型外延和4次选择性P型掺杂来实现超结结构。为便于对比分析,设计传统肖特基二极管和超结肖特基二极管的电压支持层厚度一致,且超结结构中P柱和N柱的杂质浓度均和传统肖特基二极管的电压支持层浓度一致。测试得到传统肖特基二极管的反向击穿电压为110 V,而超结肖特基二极管的反向击穿电压为229 V。表明采用超结结构作为功率半导体器件的电压支持层能够有效提高反向击穿电压,同时降低器件的正向导通电阻,并且当P柱区和N柱区内的电荷量一致时器件的击穿电压最高。     

红外对管检测装置

本文提出了一种在工厂装配线上对成批的近红外线发光二极管和光电二极管进行筛选的工艺，并为此设计了一台实用的检测装置。     

ZnO压敏陶瓷中偏锑酸钡相的作用研究

本文通过交变小信号电压下电导和复阻抗测量，小电流区伏安特性测量，对照以往的微结构分析结果，研究ZnO压敏陶瓷中偏锑酸钡相的作用。结果表明，ZnO-Bi203-Sb2O3-BaO系压敏陶瓷优良的直流电参数和长期电负荷下的工作稳定性，来源于适量的锑酸相使肖特基势垒高度升高及相应地晶界电阻增大，以及对本征缺陷Zn1的抑制作用。     

有关PTC现象的理论研究进展

概要介绍了PTC理论及与PTC现象密切相关的相变理论的研究进展 ,分析了解释PTC现象的一些典型理论模型的发展概况