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用第一性原理的密度泛函理论分析了Sn吸附在Ni(100)表面的几何结构和稳定相吸附前后的功函变化情况。能量计算表明最稳定相是0.5ML(monolayer)的Sn替代Ni(100)表面最外层原子形成c(2×2)结构的合金相,皱褶幅度为0.049nm,与通过低能碱金属离子散射法和低能电子衍射法(LEED)所得到的实验值(0.044±0.005nm)以及全矢量线性平面波法所得理论值(0.036nm)吻合得较好,但与三维电子全息图所得值(0.09nm)和Castep程序所得值(0.018nm)相差很大,Sn在Ni(100)表面吸附前后的功函变化值为0.31eV,表明电荷从底物移向吸附物。 相似文献
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