锁模半导体激光器产生带宽极限的超短光脉冲

利用主动锁模技术,以光在外腔中的往返频率调制注入电流,在外腔中加入F-P标准具(Fabry-Perot etalon)后,在国內首次获得了带宽极限的可调谐完全锁模半导体激光超短脉冲。该脉冲源可望用于高速光通信、光孤子通信等领域。     

低阻ITO玻璃的制造工艺

有机发光显示器件是目前平板显示中的热点,所用ITO玻璃比液晶显示所用的有更高更严的要求。该文探讨了OLED用ITO玻璃生产的相关工艺,得出使用直流溅射ITO陶瓷靶时,较好的气氛是低氩微氧,功率约200W左右,溅射时基板温度约250℃,高温无氧退火。得到方阻20?以下、平均透过率大于80%的ITO玻璃。     

Ka波段二倍频器的研究与设计

利用反向并联二极管对的二倍频原理,设计了Ka波段二倍频器。用高级设计系统ADS设计软件包的射频设计软件对二倍频器的电路进行了模型设计和仿真分析,并对设计出的二倍频器进行了整体优化,研制了Ka波段的二倍频器;在整个Ka波段内的变频损耗为11.2±1.8 dB,减少了设计的理想模型与实际参数的偏差。     

PIN管微波毫微秒脉冲调制器

介绍了采用PIN管制作的微波毫微秒脉冲调制器,具有体积小,重量轻,控制功率小,隔离度高,反应速度快,调制线性好以及稳定可靠等优点,可用几个毫微秒的脉冲进行调制,这是以往的调制器无法实现的,它对提高雷达的距离分辨力和抗干扰能力有着极为重要的意义,可广泛用于雷达和电子对抗等系统中.     

65～82GHz宽带机械調谐Gunn振蕩器

研制了一种连续可调的基波Gunn振荡器,频率可从65GHz调到82GHz.在大部分工作频段内输出功率大于10mW.最大功率达到30mW.并与美国millitcch公司最新产品做了比较,在频带宽度上远超过GDM-12,在输出功率上大致相当.     

爆炸式发射二极管的粒子模拟研究

分析了爆炸式发射的物理机理,在二维Yee网格模型的基础上推导出了爆炸式发射的发射条件及逃离阴极表面的粒子电荷的计算公式,讨论了在程序中如何用唯相的方法来描述爆炸式发射的二维粒子模拟实现过程,并以向内发射同轴二极管为例从其电流电压关系及电子束运动特性方面验证了模拟的正确性。     

双环模拟预失真功率放大器研究

研究了应用于WCDMA直放站中的基于模拟预失真技术的功率放大器。该预失真电路采用双环结构,通过二极管产生预失真信号,并利用两个可调衰减器和可调移向器来调节其幅度和相位,以此抵消功率放大器的三阶分量,改善输出信号的线性度。基于该预失真方法设计了10W功率放大器,其三阶失真分量改善了15dB,相邻信道功率比为-51dBc@40dBm。     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

LD侧泵浦固体激光器的热效应分析和模拟研究

针对大功率二极管阵列侧泵浦固体激光器产生的热效应进行了分析;同时根据所建立的理论模型,利用计算机模拟了不同泵浦强度、不同泵浦结构和不同边界冷却条件下,固体工作物质内热透镜焦距的变化和热致退偏强度的分布,并在此基础上提出了补偿热效应的具体措施     

一种新型毫米波集成功率合成器的研究

提出了一种结构新颖、利用耿氏管管蕊制作的毫米波Ｅ 面混合集成功率合成器及其设计方法。功率合成器电路由Ｅ 面悬置耦合带线和鳍线构成,输出端口为标准矩形波导。在Ｋａ 频段,双管芯合成源在５５０ ＭＨｚ 的机调带宽内,输出功率大于２００ ｍ Ｗ,最大输出功率为３０５ ｍ Ｗ。