锁模半导体激光器产生带宽极限的超短光脉冲

利用主动锁模技术,以光在外腔中的往返频率调制注入电流,在外腔中加入F-P标准具(Fabry-Perot etalon)后,在国內首次获得了带宽极限的可调谐完全锁模半导体激光超短脉冲。该脉冲源可望用于高速光通信、光孤子通信等领域。     

从动词词义看双宾语构块式和与格构块式

本文从构块式语法的角度观察双宾语结构和与格结构间构块式意义的差异。用磁体构造模型,结合BROWN语料库统计数值,来阐释双及物动词词义类型与两种构块式选用的关联性,以便准确掌握选用两种构块式的规律。     

高效液相色谱—核磁共振联用技术

本文简要地综述了高效液相色谱与核磁共振联用技术,并列举了该技术在药物、天然产物以及异构体研究中的应用。     

基于互信息的功能磁共振图像配准

互信息作为衡量两幅图像配准的相似性测度函数,当两幅图像配准时,互信息达到最大值。该文提出了基于互信息脑功能磁共振图像配准新方法,采用了无需计算梯度的Powell直接搜索算法,并通过多分辨的方式加快了图像配准速度。磁共振的配准实验证明,互信息法能准确地实现多模态医学图像的配准,并且能达到亚像素的精度。     

钢管相邻缺陷漏磁场相互影响的分析

实际工况中的管道缺陷是非常复杂的,用物理试验的方法研究各种缺陷漏磁场的变化规律有一定的难度。该文针对油气管道常用的钢管缺陷产生的漏磁场建立了三维有限元模型,采用有限元方法计算了几种相邻缺陷的漏磁场模型,给出了计算结果,并分析了各种相邻缺陷对漏磁场信号的影响。结果表明当相邻缺陷的中心线与磁场方向平行时,对缺陷漏磁信号的影响最小;组合型的缺陷对漏磁信号的影响最大。     

铁磁性金属簿膜磁特性的研究

讨论了铁磁性金属薄膜中的各向弄性磁阻效应。通过对晶体结构分析和实验验证,提出了一种假设:在外磁场作用下,产生了原子对的方向有序化,导致感生磁各向异性,并使晶体织构消失。根据对5种样品的实测数据,讨论了薄膜的动态磁化过程。     

受控核聚变的一种新途径──低能注入式磁盖势阱约束法受控核聚变

提出了磁盖势阱（ＭＬＰＷ）一种静电装置,该装置是在球形静电势阱的外围加上磁盖而构成的,可用于受控核聚变．通过建立磁盖势阱中带电粒子的运动方程并取单粒子谐振子近似以及运用自洽场的统计方法,球形聚变炉内大量带电粒子的集体行为被计算机所研究和模拟．由于使用了电场与磁场的联合约束,与单独的磁约束或惯性约束受控核聚变相比,所需达到的技术指标将有所改善,工程技术上的难度也会有所降低     

半导体激光器的光学准直

对半导体激光器进行光学准直是空间光通信系统必须进行的重要工作。文中简述了准直通常使用的方法,测试了使用单透镜对一种３５ｍＷ半导体激光器的准直结果,准直效率约为６０％,准直后的发射角为０４～０７５ｍｒａｄ。     

Backward capacity-filtering for electronics Fabs

In electronics Fabs such as semiconductor Fabs and liquid crystal display (LCD) Fabs, which are capital-intensive, finite-capacity planning is critical to achieving full-capacity production and on-time production. However, existing finite-capacity planning methods do not adequately reflect the actual capacity profiles of an electronics Fab. In this paper, we propose a new Fab-level capacity-filtering procedure to generate finite-capacity plan: a backward capacity-filtering procedure for generating finite-capacity release plan. When developing the Fab-level filtering procedures, we use stage-level capacity-filtering algorithms as a key building block. In this study, we enhance the previous capacity-filtering algorithms proposed by one of the authors in order to facilitate the practical requirements of electronics Fabs. We apply the proposed capacity-filtering method to a modern LCD–TFT Fab in Korea. Performance analyses demonstrate that the proposed method is superior to existing methods.     

多相感应电机任意非正弦气隙磁密的磁动势分析与应用

多相感应电机转矩密度的提高依赖于非正弦气隙磁密行波的合理构建,由于传统的电流相位、幅值控制策略无 法给出期望的非正弦磁密行波,因此文章研究了控制多相感应电机定子相电流中基波和谐波幅值、相位、频率的大小来 构建期望的气隙磁密波形的方法、首先基于单根载流导体产生的气隙磁动势波形,推导了任意相数、不对称、包含任意 高次谐波电流波形激励的具有典型绕组结构的多相感应电机的磁动势分布表达式。根据以上磁动势分析结论,多相电 机可通过变电流相序变极。针对气隙磁密行波逼近方波波形的案例,根据所提出的磁动势分析方法分析和预测了理想 空载励磁电流的波形。将预测波形和方波供电下的励磁电流波形进行了比较,从FFT分析结果来看,仍需微调各次谐波 电压相位,从而实现各次电流相位完全一致。