普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。     

超薄板焊接熔池流场数值模拟

为了研究超薄板焊接质量差的问题,根据流体力学和传热学原理,建立超薄板焊接熔池的二维数值分析模型。 电弧热源模型采用高斯热源分布模型,模型考虑了超薄板固态金属的热传导、熔池与外部环境的对流辐射、熔池内部液 态金属质点的热传递、材料的热物理性能参数部分随温度变化等因素。采用FLUENT对超薄板微束等离子焊接熔池模 型进行求解,得出了熔池温度场、流场分布,并讨论了几种作用力对超薄板熔池流场的影响。研究结果表明表面张力是 超薄板熔池内部液态金属流动的主要驱动力     

超大规模集成电路的栅氧化技术

本文探索了一种能用于大规模 MOS 集成电路的栅氧化技术—补充后的两步 TCE法。笔者采用该法,在一般工厂的工艺条件下,制得了90%以上的 MOS 电容,击穿电场大于6MV/cm,可动电荷密度约为10~(10)cm~(-2),固定电荷密度约为10~(11)cm~(-2)的优质超薄氧化层。