首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13篇
  免费   0篇
人才学   1篇
综合类   11篇
社会学   1篇
  2017年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2011年   1篇
  2009年   1篇
  2006年   3篇
  2004年   1篇
  2002年   1篇
  2000年   1篇
  1994年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 987 毫秒
1.
单晶α-Al_2O_3、MgO、YSZ和TiO_2在室温下分别注入Ni~ 和Zn~ 离子,然后在氧化气氛中退火,以形成金属及其氧化物纳米晶.形成的纳米复合结构分别采用X射线光电子能谱(XPS)表征各元素化学价态;用X射线衍射分析(XRD)检测纳米结构的结晶形态;用透射电子显微分析(TEM)观察纳米晶的微观结构及分布情况;吸收光谱和荧光光谱分别用来表征纳米复合结构的宏观光学性能;超导量子干涉磁强计(SQUID)测量磁性纳米晶的矫顽力及截止温度.研究表明:在几种单晶材料中分别形成的金属Ni和Zn具有表面等离子共振吸收效应,ZnO纳米晶具有较强的绿光发射,铁磁性金属Ni纳米晶具有比常规块材大的矫顽力。这些性能在光学滤波片、蓝/绿发光器件和磁存储器方面板具应用前景.  相似文献   
2.
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。  相似文献   
3.
以天然产物中提取的L-苯丙氨酸为原料,经氨基保护、重氮化反应、氯化和还原反应后合成了(2S,3S)-N-苄氧羰基-4-苯基-3-氨基-1-氯-2-丁醇。并以高效液相色谱-质谱联用技术、单晶X射线衍射等方法对产品进行了分析和结构表征。  相似文献   
4.
叙述了CZTS基薄膜太阳能电池的研究现状,分析了熔盐法制备单晶颗粒的优势,对单晶颗粒薄膜太阳能电池的研究进行了综述,并对单晶颗粒薄膜太阳能电池的发展进行了展望.  相似文献   
5.
随着我国材料制造业的不断发展,近些年来出现了采用多种宽带隙半导体、弛豫铁电体以及超导体为材料的功能晶体,在诸多领域当中都得到了广泛的运用。作为结构复杂,功能多样的单晶材料,这些材料的工程性能优异,在诸多领域中都有较为美好的应用前景。本文主要关注了我国当前对单晶材料的研究发展情况,从生长技术等多种角度来阐述了当前研究所取得各种的成就,对单晶生长过程中所出现的难题与阻碍进行了分析与解答,对如何更好地进行单晶材料生长的培养提出了大量有建设性的意见与建议。提出了以晶体膜技术为中心的单晶材料生长培养手段,给传统的晶体培养方案带来了极大的挑战与改革。  相似文献   
6.
用分子动力学方法模拟了纳尺度铜单晶与铜双晶的 (111)面原子的静拉伸力学行为。模拟结果表明纳米铜晶体的静拉伸变形过程中 ,原子系统的排列结构在弹性阶段没有变化 ;在塑性阶段铜单晶出现两个方向的交错滑移 ,铜双晶的塑性变形机制远比铜单晶复杂从而导致两者应力应变曲线的差异。模拟还发现纳米铜晶体具有良好的塑性变形自组织能力。  相似文献   
7.
8.
对谐振腔微扰法测试单晶电介质微波复介电常数进行了分析。采用研制的TE_(10n)。模矩形谐振腔,利用标量网络分析系统与微机联网,在液氮温度和常温下对电介质材料进行了实测,结果表明:该测试技术可对常用微波介质材料在不同温度(如液氮、液氦及常温)下进行测试,且测试简便、迅速、自动化程度高,并且有测试材料某一方向复介电常数的优点。  相似文献   
9.
大塑性变形法可制备致密度很高的纳米纯金属、金属间化合物等材料,但人们对这种方法导致的纳米晶粒细化过程和细化机理还缺乏深刻的认识和理解。本文采用分子动力学方法,在VC++环境下,编制了单晶铜在大塑性变形条件下的模拟程序和局部晶序分析程序。根据运行结果,得出了单晶铜的细化过程和细化机理。  相似文献   
10.
简要介绍了高温超导材料RE123的发展概况及其在高温超导实验和理论研究方面的历史作用.初步分析了RE123单晶及其掺杂样品对于高温超导机理研究的重要意义.报道了我们在Y123、Sm123单晶以及Pr掺杂(YPr)BCO、Fe掺杂SmB(CuFe)O系列单晶的生长实验工作和成果.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号