MOS电容法在研究Si—SiO_2系统中的作用

本文在介绍MOS电容法研究Si—SiO_2系统的理论根据的基础上,着重讨论了一些主要方法的测量原理。这些方法有高频C—V_G法,改变温度的高频C—V_G法,准静态C—V_G法,准静态和高频相结合的C—V_G法。对脉冲MOS电容瞬变过程,以及改变直流偏压的变化速率等也作了讨论。通过这些方法,可测得Si—SiO_2系统中的可动电荷、固定电荷、界面态密度、硅的产生寿命和表面产生速率等。这些表面态的测量和分析,在Si双极型器件、MOS器件、集成电路及CCD器件等的研制中,对改进产品质量、提高可靠性和稳定性,均具有重要的指导作用。