| 功率器件有 JTE 结构的电场的数值分析与模拟 |
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| 引用本文： | 李肇基,陈星弼,曾军.功率器件有 JTE 结构的电场的数值分析与模拟[J].电子科技大学学报(社会科学版),1989(4). |
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| 作者姓名： | 李肇基 陈星弼 曾军 |
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| 作者单位： | 微电子研究所，微电子研究所，微电子研究所 |
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| 摘 要： | 本文用 damped-Newton(DN)法求解由一般非线性方程获得的Poisson 方程。研究了阻尼因子λ对其收敛性和求解效率的影响。利用此方法计算了横向表面掺杂为 Gauss 分布的器件的归一化电场与掺杂浓度和掺杂层宽度的关系。
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| 关 键 词： | 数值分析 半导体功率器件 电场分布 |
ANALYSIS AND SIMULATION OF ELECTRIC FIELD OF POWER DEVICES WITH VARIATION OF LATERAL DOPING |
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| Li Zhaoji Chen Xingbi Zeng Ju.ANALYSIS AND SIMULATION OF ELECTRIC FIELD OF POWER DEVICES WITH VARIATION OF LATERAL DOPING[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1989(4). |
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| Authors: | Li Zhaoji Chen Xingbi Zeng Ju |
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| Institution: | Research Institute of Microelectronics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | numerical analysis power semiconductor device electric field profile |
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