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| 衬底温度对a-Si1-xCx:H薄膜成分的影响 | |
| 引用本文： | 田帅,简红彬.衬底温度对a-Si1-xCx:H薄膜成分的影响[J].鲁东大学学报,2011(3):229-231. |
| 作者姓名： | 田帅 简红彬 |
| 摘 要： | 采用热壁低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在Si(100)衬底上成功制备出了具有化学计量的氢化非晶碳化硅(a-Si1-xCx∶H)薄膜,并用傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱仪对薄膜成分进行了分析,探讨了衬底温度对a-Si1-xCx∶H薄膜成分的影响,结果发现随着衬底温度升高,CH4分解效率得到提高,过量的C形成... |
| 关 键 词： | 热壁LPCVD a-Si1-xCx∶H薄膜 衬底温度 薄膜成分 |