| a-Si:H MNS场效应管的研制 |
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| 引用本文： | 惠恒荣,胡思福,曾军,徐玉辉,赵兴华,黎展荣.a-Si:H MNS场效应管的研制[J].电子科技大学学报(社会科学版),1987(4). |
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| 作者姓名： | 惠恒荣 胡思福 曾军 徐玉辉 赵兴华 黎展荣 |
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| 作者单位： | 成都电讯工程学院739半导体材料研究所，成都电讯工程学院739半导体材料研究所 |
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| 摘 要： | 本文从积累型工作模式和反型工作模式出发,设计并制造出三种不同结构的 a-Si:H MNSFET。测试了它们的转移特性,并对其特性的异同点进行了解释。结果表明,工作在积累模式的漏源电流比反型模式大近一个数量级,其开关比分别为10~4和10~5,阈电压分别为6V 和9V,器件的沟道宽长分别为200μm 和80μm。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 场效应管 转移特性 开关比 阈电压 沟道 |
MANUFACTURE OF a-Si:H MNSFET |
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| Hui Hengrong Hu Sihu Zeng Jun Xu Yuhui Zhao Xinhua Li Zhanrong,Semiconductor Research Institute..MANUFACTURE OF a-Si:H MNSFET[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1987(4). |
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| Authors: | Hui Hengrong Hu Sihu Zeng Jun Xu Yuhui Zhao Xinhua Li Zhanrong Semiconductor Research Institute |
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| Institution: | Hui Hengrong Hu Sihu Zeng Jun Xu Yuhui Zhao Xinhua Li Zhanrong 739 Semiconductor Research Institute. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Amorphous hydrogen silicon field effect transistors transfer characteristics On/off current ratio threshold voltege channels |
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