SiIMPATT器件的直流特性分析

本文基于电子、空穴的连续性方程和泊松方程,对Si单边突变P~+n结、双边突变pn结、线性缓变结以及“高斯—平坦分布”复合结等不同掺杂结构下的IMPATT器件直流特性进行了数值计算,得到W、W_A、x_c、E_M、x_M、V_B等一系列表征管子特性的重要参量。由于求解计入了载流子空间电荷效应,采用不等的电子、空穴离化率和饱和漂移速度,故更接近于实际情况。