| 硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文) |
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| 引用本文： | 胡思福,格林M.硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)[J].电子科技大学学报(社会科学版),1991(2). |
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| 作者姓名： | 胡思福 格林M |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系
(胡思福)，英国帝国理工学院电气工程系(格林M) |
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| 摘 要： | 提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 径向刻蚀速率 均匀性 等离子体 控制环 单片反应器 |
ON THE UNIFORMITY OF REACTIVE ION ETCHING OF SILICON OXIDE |
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| Hu Sifu.ON THE UNIFORMITY OF REACTIVE ION ETCHING OF SILICON OXIDE[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1991(2). |
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| Authors: | Hu Sifu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive ion etching radial etch rate uniformity plasma control ring single wafer reactor |
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