半导体器件模拟及其进展

半导体器件模拟,对于设计VLSI中的微小尺寸器件或者是新型的半导体分立器件,都已越来越显得重要。本文系统地综述了这门技术及其新近的进展。文中首先系统地介绍了半导体基本方程及其边界条件。接着综述了有关器件物理参数的各种经验模型及其最近的某些实验结果,包括有关迁移率、禁带变窄效应和载流子的产生和复合等。然后讨论了方程的归一化和离散化,并概述了现今流行的数值解法。最后,举实例说明半导体器件模拟的重大意义。