| 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源 |
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| 引用本文： | 吴志明,黄颖,吕坚,王靓,李素.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J].电子科技大学学报(社会科学版),2008(3). |
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| 作者姓名： | 吴志明 黄颖 吕坚 王靓 李素 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院;电子科技大学光电信息学院 成都; |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金(60425101) |
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| 摘 要： | 介绍了一种采用0.5μmCMOSN阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116dB,在-40℃～85℃温度范围内温度系数为46ppm/℃,功耗仅为1.45mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。
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| 关 键 词： | 带隙基准电压源 互补型金属氧化物半导体 电源抑制比 温度系数 |
High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap voltage reference complementary metal oxide semiconductor transistor power supply rejection ratio temperature coefficient |
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