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| ZnO纳米结构/p-GaAs的制备及其发光特性研究 | |
| 作者姓名： | 张敏 董方营 张立春 |
| 作者单位： | 鲁东大学物理与光电工程学院 |
| 基金项目： | 山东省高等学校科技计划项目(J14LJ04);鲁东大学科研基金项目(LY2014006) |
| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积(PLD)技术及水热法分别在p-GaAs外延片上生长了ZnO薄膜和纳米棒.XRD及SEM测试结果表明,在GaAs衬底上生长的纤锌矿ZnO薄膜沿c轴方向生长,而ZnO纳米棒表现出多晶结构.室温下ZnO薄膜/p-GaAs的光致发光谱由一个近紫外发光峰(380nm)、一条中心波长位于550nm的可见发光带以及一个近红外发光峰(910nm)组成,分别对应于ZnO的近带边发射、与ZnO缺陷相关的深能级发射以及p-GaAs中Be受主能级相关的辐射复合.由于ZnO纳米棒膜层较厚且取向性差,ZnO纳米棒/pGaAs的光致发光谱中没有观察到明显的GaAs发光峰. |
| 关 键 词： | ZnO p-Ga As 脉冲激光沉积 水热法 光致发光 |
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