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| 新型CMOS全兼容高压二级管 | |
| 作者姓名： | 陈星弼 叶星宁 唐茂成 王新 苏秀娣 单成国 |
| 摘 要： | 该新型ＣＭＯＳ全兼容高压二级管采用标准ＣＭＯＳ工艺、实现新型耐压层结构的新型ＣＭＯＳ全兼容高压横向二极管，由于采用了新型表面耐压层结构，故能在最短表面距离内实现最高的击穿电压，从而性能大幅度提高，其主要电性能参数为：击穿电压为５５０Ｖ；达到同衬底下单边平行平面突变击穿电压的９０％以上：正向压降为１．２Ｖ（I=1A时）；最大电流为５Ａ，其主要性能参数达到国际领先水平。新型CMOS全兼容高压二级管@陈星弼@叶星宁@唐茂成@王新@苏秀娣@单成国 |
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