| 表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理 |
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| 引用本文： | 罗小蓉,张波,李肇基.表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理[J].电子科技大学学报(社会科学版),2005(3). |
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| 作者姓名： | 罗小蓉 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054
(罗小蓉，张波)，电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054(李肇基) |
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| 摘 要： | 研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理,在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻为(5～7)×10?3?·cm2。表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1200℃的高温合金,降低了工艺难度,改善了肖特基结的电学特性。
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| 关 键 词： | 氢化 极性 界面态 接触电阻 理想因子 |
Mechanism of Reduction of Interface-State Density in the SiC/Metal Contact by Hydrogenation |
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| LUO Xiao-rong,ZhANG Bo,LI Zhao-ji.Mechanism of Reduction of Interface-State Density in the SiC/Metal Contact by Hydrogenation[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2005(3). |
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| Authors: | LUO Xiao-rong ZhANG Bo LI Zhao-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogenation polarity surface state contact resistance ideality factor |
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