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微分脉冲极谱测定痕量铊的研究
引用本文:何为,范中晓,霍彩红.微分脉冲极谱测定痕量铊的研究[J].电子科技大学学报(社会科学版),2004(3).
作者姓名:何为  范中晓  霍彩红
作者单位:电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054 (何为,范中晓),电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054(霍彩红)
摘    要:在pH值为5~10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果。该分析方法的检测限达到0.025 mg/ml,所测定的铊(I)浓度的线性范围达到0.05~10 mg/ml,标准曲线的相关系数g = 0. 999 5,相对标准偏差为 0.90。

关 键 词:  微分脉冲极谱  滴汞电极  4-吗啉二硫代羧酸钾

Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy
He Wei,Fan Zhongxiao,Huo Caihong.Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2004(3).
Authors:He Wei  Fan Zhongxiao  Huo Caihong
Abstract:
Keywords:thallium  differential pulse polarography  dropping mercury electrode  morpholine-4-carbodithioate
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