| n型DMS材料居里温度的极值点 |
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| 引用本文： | 陈余,关玉琴,迎春. n型DMS材料居里温度的极值点[J]. 内蒙古工业大学学报, 2011, 0(1) |
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| 作者姓名： | 陈余 关玉琴 迎春 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学理学院; |
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| 基金项目： | 内蒙古工业大学校基金项目(X200930) |
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| 摘 要： | 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算证明:n型DMS材料的居里温度有一个极大值,此极大值点投影到xoy平面(掺杂浓度x与反铁磁性交换作用相对强弱y所在的坐标面)上的轨迹是一双曲线,此双曲线为由基质材料与掺杂的磁性杂质决定。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 居里温度极值点 掺杂浓度 反铁磁性交换作用 |
THE MAXIMUM CURIE TEMPERATURE OF N-TYPE SEMICONDUCTOR |
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| CHEN Yu,GUAN Yuqin. THE MAXIMUM CURIE TEMPERATURE OF N-TYPE SEMICONDUCTOR[J]. Journal of Inner Mongolia Polytechnic University(Social Sciences Edition), 2011, 0(1) |
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| Authors: | CHEN Yu GUAN Yuqin |
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| Affiliation: | CHEN Yu,GUAN Yuqin(School of Basic Sciences,IMUT,Hohhot,010051,China) |
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| Abstract: | This paper based on Zener Model,considering the impact of the Anti-ferromagneticexchange on the Curie temperature of DMS materials.It follows:The Curie temperature of n-typesemiconductor is a maximum,and to obtain a constant is(48/35)1/2. |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductor Curie temperature extreme points dope concentration anti-ferromagnetic exchange |
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