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| 外电场下GaAs／Ga1—xAlxAs量子阱中激子的结合能 | |
| 引用本文： | 谢洪鲸,陈传誉.外电场下GaAs／Ga1—xAlxAs量子阱中激子的结合能[J].广州师院学报,1994(1):78-86. |
| 作者姓名： | 谢洪鲸 陈传誉 |
| 作者单位： | 物理系 |
| 摘 要： | 本文采用推广的LLP变分法研究纵光学声子对处于外电场下量子阱中激子结合能的影响。求出在不同外场及阱宽下的激子结合能。结果显示，纵光学声子对激子结合能有明显的影响。 |
| 关 键 词： | 量子阱 激子 结合能 激子－声子相互作用 纵光学声子 外电场 哈密顿量 |
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