1.3μm InGaAsP激光器的高频调制 |
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作者姓名: | 王清正 刘旭 庞涛 周元庆 |
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作者单位: | 电子科技大学光电子技术系(王清正,刘旭,庞涛),电子科技大学光电子技术系(周元庆) |
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摘 要: | 从速率方程出发,分析了影响注入式半导体激光器调制响应的主要因素。着重讨论了激光器寄生参量对激光器高频特性的不利影响。通过减小电极面积、缩短电极引线长度降低了激光器的寄生参量,从而改善了激光器的高频特性,使激光器的调制带宽达到1.5GHz。
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关 键 词: | 半导体激光器 高频调制 调制带宽 寄生参量 |
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