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相变扩散对PTCR效应的影响
引用本文:陈志雄,鲁圣国.相变扩散对PTCR效应的影响[J].广州师院学报,1990(2):1-9.
作者姓名:陈志雄  鲁圣国
作者单位:[1]广州师院物理 [2]西安交大电子工程系
摘    要:从Kanzig微区的概念出发,求得具有扩散相变的铁电体中序参量的温度分布,推导出铁电半导体陶瓷中晶界电阻率温度变化的的函数关系,讨论了扩散相变对PTCR效应的影响。结果表明,扩散相变对PTCR效应的某些特征参量有重要影响,特别是明显地降低了电阻突变的起跳温度和变化陡变。对这种影响的程度作了数值估计。

关 键 词:扩散相变  铁电半导体陶瓷  正温度系数电阻  晶界  微畴  PTCR效应  电阻率
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