| 离子注入α-Si∶H肖特基势垒的研究 |
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| 引用本文： | 惠恒荣,马秉仁,秦学超.离子注入α-Si∶H肖特基势垒的研究[J].电子科技大学学报(社会科学版),1989(2). |
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| 作者姓名： | 惠恒荣 马秉仁 秦学超 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子技术与电子材料系
(惠恒荣，马秉仁)，电子科技大学微电子技术与电子材料系(秦学超) |
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| 摘 要： | 本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电流—电压关系将出现“反转”,提高a-Si∶H中的杂质浓度或在本征a-SI∶H中注入Zn+离子均可降低势垒高度;作者予言,掺入金属元素使a-Si∶H半金属化,可望进一步降低肖特基势垒高度。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 肖特基势垒 势垒高度 离子注入 |
AN INVESTIGATION OF IONIC IMPLANTATION DOPED a-Si:H SCHOTTKY BARRIERS |
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| Hui Henrong Ma Binren Qin Xuechao.AN INVESTIGATION OF IONIC IMPLANTATION DOPED a-Si:H SCHOTTKY BARRIERS[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1989(2). |
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| Authors: | Hui Henrong Ma Binren Qin Xuechao |
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| Institution: | Dept.of Microelectron.Technol.and Electron.Materials |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous hydrogenated silicon Schottky barrier barrierheight ionic implantation |
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