| 240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET |
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| 引用本文： | 李竞春,韩春,周谦,张静,徐婉静. 240nm Si_(0.8)Ge_(0.2)虚衬底的应变Si沟道PMOSFET[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 2007, 0(1) |
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| 作者姓名： | 李竞春 韩春 周谦 张静 徐婉静 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院 成都610054(李竞春，韩春，周谦)，中电集团24所模拟集成电路国家重点实验室 重庆南岸区400060(张静，徐婉静) |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金资助项目(2002JS09.3.1.DZ02) |
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| 摘 要： | 针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%。器件性能可与采用1μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟。
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| 关 键 词： | SiGe 应变Si 低温Si PMOSFET |
Strained-Si Channel PMOSFET on 240nm Thick Si_(0.8)Ge_(0.2) Virtual Substrates |
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| LI Jing-chun,HAN Chun,ZHOU Qian,ZHANG Jing,XU Wan-jing. Strained-Si Channel PMOSFET on 240nm Thick Si_(0.8)Ge_(0.2) Virtual Substrates[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 2007, 0(1) |
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| Authors: | LI Jing-chun HAN Chun ZHOU Qian ZHANG Jing XU Wan-jing |
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| Affiliation: | LI Jing-chun1,HAN Chun1,ZHOU Qian1,ZHANG Jing2,XU Wan-jing2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe strained-Si low-temperature Si PMOSFET |
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