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VHF高压双栅功率MOS及CAD程序
摘 要:
主研人员:唐茂成 曾军 李肇基 根据自行设计的特殊的叉指式结构,采用离子注入硅栅自对准工艺,研制出了耐压120V、工作频率100MHz、最大输出功率5W、功率增益为8.45dB的VHF双栅功率MOSFET.研制中借助于自行开发的二
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