首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

VHF高压双栅功率MOS及CAD程序
摘    要:主研人员:唐茂成 曾军 李肇基 根据自行设计的特殊的叉指式结构,采用离子注入硅栅自对准工艺,研制出了耐压120V、工作频率100MHz、最大输出功率5W、功率增益为8.45dB的VHF双栅功率MOSFET.研制中借助于自行开发的二

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号