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| a-Si:H FET特性理论新分析及验证 | |
| 引用本文： | 惠恒荣,卢波.a-Si:H FET特性理论新分析及验证[J].电子科技大学学报(社会科学版),1989(5). |
| 作者姓名： | 惠恒荣 卢波 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系，电子科技大学微电子科学与工程系 |
| 摘 要： | 本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_(GS)与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合. |
| 关 键 词： | 氢化非晶硅 能带 定域态 场效应晶体管 电容分压原理 |
NEW ANALYSIS OF AMORPHOUS SILICON FET AND EXPERIMENTAL PROOF |
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| Hui Hengrong Lu Bo.NEW ANALYSIS OF AMORPHOUS SILICON FET AND EXPERIMENTAL PROOF[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1989(5). | |
| Authors: | Hui Hengrong Lu Bo |
| Institution: | Dept.of Microclcctronic Science and Technology |
| Abstract: | |
| Keywords: | amorphous hydrogenated silicon energy band Lacalized state field effect transistor principle of capacitive divider |
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