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高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜
引用本文:林媛,杨丹丹,代超,刘升华,LUO H M,JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 2009, 0(5)
作者姓名:林媛  杨丹丹  代超  刘升华  LUO H M  JIA Q X
作者单位:电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室;Alamos国家实验室;
摘    要:高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。

关 键 词:氧化物薄膜  外延生长  高分子辅助沉积法  氮化物薄膜  

Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films
LIN Yuan,YANG Dan-dan,DAI Chao,LIU Sheng-hua,LUO H M,, JIA Q X. Polymer Assisted Deposition of oxide and nitride films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 2009, 0(5)
Authors:LIN Yuan  YANG Dan-dan  DAI Chao  LIU Sheng-hua  LUO H M     JIA Q X
Affiliation:LIN Yuan1,YANG Dan-dan1,DAI Chao1,LIU Sheng-hua1,LUO H M2,, JIA Q X2 (1.State Key Laboratory of Electronic Thin Films , Integrated Devices,School of Microelectrics , Solid State Electronics,University of Electronic Science , Technology of China Chengdu 610054,2.LOS Alamos National Laboratory New Mexico USA 87545)
Abstract:Polymer assisted deposition(PAD) is a new thin film deposition technique which has been developed recently.In this technique,aqueous solutions of metal precursors and water-soluble polymers are combined together.This results in homogenous and steady solutions by binding the metal ions to the polymers.After coating the solutions on the substrates,the precursor films will go through a heat treatment to pyrolyze the polymer and form solid films,In this paper,we show some representative oxide and nitride films ...
Keywords:epitaxial growth  nitride thin films  oxide thin films  polymer assisted deposition  
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