| 工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 贾宇明,杨邦朝.工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响[J].电子科技大学学报(社会科学版),1997(5). |
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| 作者姓名： | 贾宇明 杨邦朝 |
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| 作者单位： | 电子科技大学信息材料工程学院 |
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| 摘 要： | Ａｌ原子含量约为５０％的Ｔａ／Ａｌ合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜，靶极采用了Ａｌ面积为４５％的Ｔａ／Ａｌ复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明，这种Ｔａ／Ａｌ合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。
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| 关 键 词： | Ta／Al合金薄膜 电阻性能 共溅射 工艺参数 |
Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films |
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| Jia Yuming,Yang Bangchao.Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),1997(5). |
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| Authors: | Jia Yuming Yang Bangchao |
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| Abstract: | The Ta/Al alloy film containing Al 50% at.has an excellent resistive performance.The film is deposited by DC co sputtering from tantalum cathode,45% of which is covered with area of aluminum discs.The influence of technological parameters such as sputtering pressure,sputtering voltage and heat treatment conditions etc.on the properties of the film is explored.The results show that the Ta/Al alloy film can be used for stable power resistor or resistive network. |
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| Keywords: | Ta/Al alloy film resistive performance co sputtering technological parameters |
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