| 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件 |
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| 引用本文： | 李泽宏,张磊,谭开洲.总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J].电子科技大学学报(社会科学版),2008(4). |
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| 作者姓名： | 李泽宏 张磊 谭开洲 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;中国电子科技集团公司第二十四研究所; |
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| 基金项目： | 国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606) |
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| 摘 要： | 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移?1V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。
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| 关 键 词： | 功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阈值电压漂移 总剂量辐照 |
Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device |
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| LI Ze-hong,ZHANG Lei, Tan Kai-zhou.Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2008(4). |
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| Authors: | LI Ze-hong ZHANG Lei Tan Kai-zhou |
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| Institution: | LI Ze-hong1,2,ZHANG Lei1,, Tan Kai-zhou2 (1. State Key Laboratory of Electronic Thin Films , Integrated Devices,University of Electronic Science , Technology of China Chengdu 610054,2. The No.24 Institute of,China Electronics Technology Group Corporation,Nanping Chongqing 400060) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power VDMOS device thin gate SiO2 threshold voltage shift total dose radiation |
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