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350keV Yb~+注入Si(100)的射程分布和晶格损伤研究
作者姓名:李岱青  任廷琦  万亚  宫宝安  徐天冰
作者单位:烟台师范学院,烟台大学应用化学系,中科院物理所
摘    要:用350keVYb~+在室温下注入了单晶硅,并用卢瑟福背散射/沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的标准偏差。实验和计算结果表明,大部分注入离子都处于非替位位置。表面能量近似方法已能给出相当理想的计算精度,它与更精确的平均能量近似所得出的结果相差甚微。晶体与非晶体界面附近的损伤并由Yb~+直接产生,它是一种次级级联碰撞效应。

关 键 词:Yb~+注入,射程,晶格损伤,背散射/沟道谱
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