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带UVLO功能的CMOS零温度系数带隙基准
引用本文:张涛,李伊珂,廖永波. 带UVLO功能的CMOS零温度系数带隙基准[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 2008, 0(Z1)
作者姓名:张涛  李伊珂  廖永波
作者单位:电子科技大学VLSI设计中心;电子科技大学VLSI设计中心 成都;
摘    要:采用CMOS工艺设计了一种零温度系数的带隙基准与零温度系数欠压闭锁(UVLO)的复用电路。由于这种复用,使其与传统的采用BiCMOS或CMOS工艺设计的电路相比,工艺成本低,易于实现。电路由通过改进的带隙结构产生零温度系数的基准电压,并同时检测输入电压,产生对温度和工艺不敏感的输入电压检测信号跳变阈值,实现欠压闭锁。同时通过反馈实现迟滞,克服了单一阈值的弱抗干扰能力。

关 键 词:带隙基准  CMOS工艺  温度系数  欠压闭锁  

CMOS Band-Gap Voltage Reference of Zero Temperature Coefficients with UVLO Function
ZHANG Tao,LI Yi-ke,, LIAO Yong-bo. CMOS Band-Gap Voltage Reference of Zero Temperature Coefficients with UVLO Function[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 2008, 0(Z1)
Authors:ZHANG Tao  LI Yi-ke     LIAO Yong-bo
Affiliation:ZHANG Tao,LI Yi-ke,, LIAO Yong-bo (VLSI Design Center,University of Electronic Science , Technology of China Chengdu 610054)
Abstract:This paper proposes a voltage reference based on standard CMOS process. The reference voltage with zero temperature coefficient is generated by the modified band-gap structure. By monitoring the input voltage, the reference generates a precise UVLO signal whose threshold voltage has little dependence to the temperature and technology change. Additionally, the hysteresis is realized by using a feedback circuit.
Keywords:band-gap voltage reference  CMOS process  temperature coefficients  UVLO  
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