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| 新型功率MOS器件 | |
| 摘 要： | 新型功率ＭＯＳ器件主研人员：陈显据李鳖击偷永康张波李平赵建明等研制出的四种晶体管是：１）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ），并已设计定型，其技术指标：１０～２０Ａ／１０００～１２５０ｙ，ＴＯｆｆ＜０．１８ｏｎ；２）横向绝缘晶体管（ＬＤＯｇｒ）技术指标为Ｔｏ... |
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