| 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响 |
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| 引用本文： | 蒋洪川,王超杰,张万里,向阳,司旭,彭斌,李言荣. 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 2010, 0(3) |
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| 作者姓名： | 蒋洪川 王超杰 张万里 向阳 司旭 彭斌 李言荣 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200804) |
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| 摘 要： | 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ·cm和270 ppm/℃。
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| 关 键 词： | Al掺杂 磁控溅射 TaN薄膜 TCR |
Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films |
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| JIANG Hong-chuan,WANG Chao-jie,ZHANG Wan-li,XIANG Yang,SI Xu,PENG Bin,, LI Yan-rong. Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 2010, 0(3) |
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| Authors: | JIANG Hong-chuan WANG Chao-jie ZHANG Wan-li XIANG Yang SI Xu PENG Bin LI Yan-rong |
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| Affiliation: | JIANG Hong-chuan,WANG Chao-jie,ZHANG Wan-li,XIANG Yang,SI Xu,PENG Bin,, LI Yan-rong(State Key Laboratory of Electronic Thin Films , Integrated Devices,University of Electronic Science , Technology of China Chengdu 610054) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Aluminum doping magnetron sputtering TaN thin films TCR |
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