| Zn掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 孙美玉,曾江斌,张伟,田汝强.Zn掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究[J].鲁东大学学报,2012(4):322-326,393. |
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| 作者姓名： | 孙美玉 曾江斌 张伟 田汝强 |
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| 作者单位： | 鲁东大学物理与光电工程学院 |
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| 基金项目： | 鲁东大学大学生科技创新基金项目资助(10y038) |
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| 摘 要： | 用密度泛函理论平面赝势方法,利用Materials Studio中的Castep软件包,对GaN及Zn对GaN的Ga位掺杂和N位掺杂进行了模拟计算,并对本征GaN和Zn掺杂GaN的能带结构和态密度、差分电荷密度分布及光学性质进行了分析.计算结果表明,Zn原子替换N原子能改善GaN晶体的电学性能,在光学方面,Zn掺杂GaN的动态介电函数表现出光学各向异性.
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| 关 键 词： | GaN Zn 电子结构 光学性质 |
First-Principles Study on the Electronic Structure and Optical Properties of GaN with Zn Doped |
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| SUN Mei-yu,ZENG Jiang-bin,ZHANG Wei,TIAN Ru-qiang.First-Principles Study on the Electronic Structure and Optical Properties of GaN with Zn Doped[J].Ludong University Journal (Natural Science Edition),2012(4):322-326,393. |
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| Authors: | SUN Mei-yu ZENG Jiang-bin ZHANG Wei TIAN Ru-qiang |
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| Institution: | (School of Physics,Ludong University,Yantai 264039,China) |
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