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突变平面結表面电場的近似公式
摘    要:迄今为止,对于单边突变的平面结边缘上的表面电场,在文献中均采用圆柱坐标的对称解。尽管如此,它其实并非严格的解。本文发表了以有限元方法解此电场的计算机数值解结果。结果均以归一化的形式表出。在这个归一化的表述中,解答只决定于一个参量—ξ_i。它代表冶金结深对理想平面结耗尽区宽度之比值。利用计算机计算的结果,我们给出了0.01≤ξ_i≤0.2这一常用情形的经验公式。此外,证明了簿氧化层在通常情形下对解答无严重影响。

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