| SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究 |
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| 引用本文： | 徐跃杭,国云川,徐锐敏,延波,吴韵秋.SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究[J].电子科技大学学报(社会科学版),2010(3). |
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| 作者姓名： | 徐跃杭 国云川 徐锐敏 延波 吴韵秋 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60701017,60876052) |
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| 摘 要： | 基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库。该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器。该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度。
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| 关 键 词： | 金属半导体场效应晶体管 非线性模型 碳化硅 符号定义器件 |
Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model |
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| XU Yue-hang,GUO Yun-chuan,XU Rui-min,YAN Bo, WU Yun-qiu.Modeling and Embedding of SiC MESFET Nonlinear Model[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2010(3). |
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| Authors: | XU Yue-hang GUO Yun-chuan XU Rui-min YAN Bo WU Yun-qiu |
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| Institution: | XU Yue-hang,GUO Yun-chuan,XU Rui-min,YAN Bo,, WU Yun-qiu(School of Electronic Engineering,University of Electronic Science , Technology of China Chengdu 610054) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MESFET nonlinear model SiC symbolic defined devices |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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