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| α-Si:H多层膜切面电镜观察分析 | |
| 作者姓名： | 惠恒荣 徐玉辉 唐方奎 |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系(惠恒荣，徐玉辉)，电子科技大学微电子科学与工程系(唐方奎) |
| 摘 要： | 本文制备了六种不同结构的 α-Si:H 多层膜结构,对其切面进行了扫描电镜观察分析.结果表明:辉光法生长 α-Si:H 膜过程中存在沉积和刻蚀一对对抗性矛盾,在常规工艺下各层界面不明显存在,在特殊条件下,可能生长出尺度不同的微晶镶嵌在非晶网络中。 |
| 关 键 词： | 氢化非晶硅 多层膜 扫描电镜 界面 微晶 |
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