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InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究
引用本文:林维涛,阮成礼,杨宏春.InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究[J].电子科技大学学报(社会科学版),2003(6).
作者姓名:林维涛  阮成礼  杨宏春
作者单位:电子科技大学物理电子学院 成都610054 (林维涛,阮成礼),电子科技大学物理电子学院 成都610054(杨宏春)
基金项目:国家863基金资金资助项目,编号:2002AA837030,国家重点实验室基金资助项目,编号:514250201DZ02,总装武器装备预研基金资助项目
摘    要:利用高阻特性的InP:Fe材料,制成间隙分别为2mm和3mm的横向型光导开关,在不同高压情况下,用ns和ps光脉冲触发进行实验研究,并对实验结果进行分析,得到了响应速度快、脉冲宽度窄、性能稳定的电脉冲信号。该实验不仅可以应用于超宽带电磁脉冲的产生方面,同时也为进一步的理论分析研究提供了依据。

关 键 词:光导开关  超短电脉冲  实验研究  横向型

Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches
Lin Weitao Ruan Chengli Yang Hongchun.Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches[J].Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition),2003(6).
Authors:Lin Weitao Ruan Chengli Yang Hongchun
Abstract:In this paper,2mm-gap and 3mm-gap lateral high resistive InP:Fe Photoconductive semiconductor switches are fabricated.These switches are triggered by nano-second and pico-second laser pulse. Experiment are given out and a fast time,narrow pulse duration and stable performance waveform is received.This experiment not only can be applied in Ultra-wideband signals generation but also supplies important reference for the theory investigation.
Keywords:photoconductive switches  ultra-short electrical pulse  experiment investigation  lateral
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