| 横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析 |
| |
| 引用本文： | 李肇基,曾军,吴世勇. 横向绝缘栅双极晶体管的电压电流特性分析[J]. 电子科技大学学报(社会科学版), 1990, 0(3) |
| |
| 作者姓名： | 李肇基 曾军 吴世勇 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子研究所(李肇基，曾军)，电子科技大学微电子研究所(吴世勇) |
| |
| 摘 要： | 求解泊松方程和电子与空穴的连续性方程以计算横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)电压电流关系,获得在加有 p~+ 短路槽和 p~-/p~+ 衬底等结构下的伏安特性和正向电压值以及载流子寿命对它们的影响。计算在 MOS 管衬底区域的纵向和横向分布电子电导和空穴电导,发现电子电导与阳极电流具有相似的负阻特性。文中还对求解的 DN 法和 NR 法进行了讨论。
|
| 关 键 词： | 绝缘栅双极晶体管 泊松方程 连续性方程 数值分析 |
ANALYSIS OF VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTICS OF LIGBT |
| |
| Li Zhaoji,Zeng Jun,Wu Shiyong. ANALYSIS OF VOLTAGE-CURRENT CHARACTERISTICS OF LIGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China(Social Sciences Edition), 1990, 0(3) |
| |
| Authors: | Li Zhaoji Zeng Jun Wu Shiyong |
| |
| Affiliation: | Institute of Microelectronics |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | insulated-gate bipolar transistor Poisson's equation continuiry equation Numerical analysis |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
