真空蒸发二氧化锗薄膜的介电性能

直接用难熔金属小舟加热蒸发二氧化锗时会发生强烈的化学反应。文中提出了一种简?可行的蒸发器,可用于普通蒸发设备上制得性能良好的GeO_2薄膜。二氧化锗薄膜具有比一氧化硅优良的介电性能。选择适当的工艺参数可以得到ε> 8。