| 对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究 |
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| 引用本文： | 孙媛媛,张启仁,刘廷禹,易志军.对不同掺杂浓度La3+:PbWO4晶体电子结构的研究[J].上海理工大学学报(社会科学版),2006,28(5):455-459. |
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| 作者姓名： | 孙媛媛 张启仁 刘廷禹 易志军 |
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| 作者单位： | 上海理工大学理学院,上海200093 |
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| 摘 要： | 采用缺陷化学方法讨论了PbWO4晶体中不同浓度掺La^3＋时可能存在的缺陷团簇模型，通过GULP计算软件模拟计算了缺陷团簇中La^3＋离子最可能的替位位置，并通过基于密度泛函理论的离散变分DV-Xa方法计算得到相应的La3^＋：PWO4晶体的电子态密度．计算得到低浓度掺杂时晶体的禁带宽度变宽，高浓度掺杂时晶体的禁带宽度变窄．实验测得低浓度掺La^3＋时晶体的吸收边紫移，高浓度掺La^3＋时晶体的吸收边红移，计算结果与实验结果相符、计算表明，La^3＋：PWO4晶体中掺La^3＋可以有效地抑制420nm吸收.
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| 关 键 词： | La3 :PWO4晶体 电子结构 吸收边 |
Study on the electronic structures of La3+:PbWO4 with different doping levels |
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| SUN Yuan-yuan,ZHANG Qi-ren,LIU Ting-yu,YI Zhi-jun.Study on the electronic structures of La3+:PbWO4 with different doping levels[J].Journal of University of Shanghai For Science and Technilogy(Social Science),2006,28(5):455-459. |
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| Authors: | SUN Yuan-yuan ZHANG Qi-ren LIU Ting-yu YI Zhi-jun |
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| Institution: | College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China |
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| Keywords: | |
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