硅片的化学腐蚀减薄

本文总结了硅片化学腐蚀减薄工艺运用于制备减薄均匀的、直径为20mm、厚度为10多μm、晶格完美的硅片的经验。腐蚀液是用CO_2气体搅抖的HF—HNO_3混合溶液。硅片在减薄容器内“自转”并“公转”。 文中讨论了腐蚀液组分与腐蚀速度的关系,也考虑了影响腐蚀减薄质量的一些主要因素。为获得合格的产品,文中特别叙述了具体操作技术。