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| 具有非准静态等离子体输运的电导调制功率器件 | |
| 引用本文： | 科卞.具有非准静态等离子体输运的电导调制功率器件[J].电子科技大学学报(社会科学版),2000(5). |
| 作者姓名： | 科卞 |
| 摘 要： | 主研人员：李肇基 方 健 赵建明 杨 健 李学宁 闫斌等 ＩＧＢＴ等电导调制型功率器件集中了ＶＤＭＯＳ（垂直扩散ＭＯＳ）和ＢＪＴ双极结型晶体管）两者的优点，既有前者输入阻抗高、热稳定等优点，又有后者载流子注入的电调制使比导通电阻凡Ｒｏｎ降低一个数量级的优点。但由于非子在宽准中性基区的大量存贮，使关断时间ＴｏＦＦ长达数微秒，工作频率低于５０ｋＨｚ。 该器件具有非子抽出的电导调制型功率器件的非准静态离子体输运模型，对电导调制型功率器件有普遍的重要意义，适用于ＩＧＢＴ、ＭＣＴ、ＥＳＴ、ＳＩＴＨ等各种电导… |
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